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周远明

作者:我院 时间:2019-03-22

个人资料

硕士学科:电气工程

    名:周远明

    别:男

最高学历:博士

    称:副教授

    务:无

E-mail  zhouym@mail.hbut.edu.cn

    话:13995501761

研究方向:半导体材料与器件,新能源技术

 

::个人简介:

周远明,博士,副教授,2010年毕业于中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,获得微电子学与固体电子学专业理学博士学位。主要研究方向包括半导体材料与器件、有机和纳米光电器件、新能源技术等。主持国家自然科学基金青年项目1项,主持完成湖北省教育厅青年人才项目1项,主持太阳能高效利用湖北省协同创新中心开放基金重点项目1项,作为主要成员参与多项国家级、省级科研项目。在国内外SCI收录的期刊上发表高水平学术论文20余篇(其中第一作者/通讯作者9篇),授权中国发明专利2项,授权实用新型专利1项。

:: 目前主持或作为主要成员参与的科研项目:

[1]      国家自然科学基金青年项目,11304092SbTe掺杂Bi2Se3拓扑绝缘体纳米片的制备及表面态输运性质研究,2014/01-2016/1230万元,主持。

[2]      国家自然科学基金青年项目,11305056,离子束精确掺杂单根CdS纳米带制备及原位性能研究,2014/01-2016/1228万元,参与。

[3]      国家自然科学基金面上项目,51371079,金属纳米周期结构与石墨烯复合体系的构筑及其在表面增强拉曼散射(SERS)中的应用,2014/01-2017/1279万元,参与。

:: 已发表的代表性研究成果或科研论文:

[1]      W. X. Shi, N. Liu,   Y. M. Zhou*, X. A. Cao*, Effects of Postannealing   on the Characteristics and Reliability of Polyfluorene Organic Light-Emitting   Diodes, IEEE Transactions on Electron Devices, 66(2), 1057, 2019. (SCI)

[2]      J. H. Feng, D. W.   Sun, S. J. Mei, W. X. Shi, F. Mei*, Y. M. Zhou*,   J. X. Xu, Y. Jiang, L. Z. Wu, Plasmonic-Enhanced Organic Light-Emitting   Diodes Based on a Graphene Oxide/Au Nanoparticles Composite Hole Injection   Layer, Frontiers in Materials, 2018, 5, 75. (SCI)

[3]      F. Tian, Y. M.   Zhou*, X. Q. Zhang, L. M. Wei, F. Mei, J. X. Xu, Y. Jiang, L.   Z. Wu, T. T. Kang, G. Yu*, Weak antilocalization effect in   Tellurium-doped Bi2Se3 topological insulator nanowires,   Journal of Infrared and Millimeter Waves, 2017, 36(3), 270-275. (SCI)

[4]      L. Liu, S. Li, Y.   M. Zhou*, L. Y. Liu, X. A. Cao*, High-current   stressing of organic light-emitting diodes with different electron-transport   materials, Microelectronics Reliability, 2017, 71, 106-110. (SCI)

[5]      Y. M. Zhou*, G. Yu, T. Lin, N.   Dai, J. H. Chu, Magneto-transport study of Landau level broadening in a gated   AlGaAs/GaAs parabolic quantum well structure, Physica B, 2012, 407(1),   116-119. (SCI)

[6]      Y. M. Zhou, G. Yu*,   K. H. Gao, W. Z. Zhou, T. Lin, L. Y. Shang, S. L. Guo, J. H. Chu, N. Dai, D.   G. Austing, Experimental approaches to zero-field spin splitting in a gated   high-mobility In0.53Ga0.47As/InP quantum well   structure: weak anti-localization and beating pattern, Journal of Applied   Physics, 2010, 107(5), 053708. (SCI)

[7]      Y. M. Zhou, K. H. Gao, G. Yu*,   W. Z. Zhou, T. Lin, S. L. Guo, J. H. Chu, N. Dai, Gate-controlled   electron-electron interactions in an In0.53Ga0.47As/InP   quantum well structure, Solid State Communications, 2010, 150(5-6), 251-253.   (SCI)

[8]      周远明, 俞国林*, 高矿红,   林铁, 郭少令,   君浩, 戴宁,   弱耦合GaAs/AlGaAs/InGaAs双势阱隧穿结构的磁隧穿特性研究, 物理学报,   2010, 59(6), 4221-4225. (SCI)

[9]      Y. M. Zhou, L. Y. Shang, G. Yu*,   K. H. Gao, W. Z. Zhou, T. Lin, S. L. Guo, J. H. Chu, N. Dai, D. G. Austing,   Transport properties of a spin-split two-dimensional electron gas in an In0.53Ga0.47As/InP   quantum well structure, Journal of Applied Physics, 2009, 106(7), 073722.   (SCI)

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